固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以及工业和军事应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，涵盖白色家电、供暖、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。可用于创建自定义 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。此外，还需要散热和足够的气流。负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。航空航天和医疗系统。无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，